近日，由商务部、科技部、工信部、发改委、农业农村部、国家知识产权局、中国科学院、中国工程院等部委和深圳市人民政府共同举办的第二十三届中国国际高新技术成果交易会（简称“高交会”）在深圳会展中心闭幕。

（2021年高交会现场）

有着“中国科技第一展”美誉的高交会历来都是我国展示科技创新力量的前沿阵地。本届高交会以“推动高质量发展，构建新发展格局”为主题，在超过15.7万平方米的展示面积里，集中展示了新一代信息技术、新能源、新材料、机器人、航空航天、智能装备等前沿技术创新领域。其中不乏中兴、华为、荣耀终端、信立泰、大族激光等跨国巨头的身影。

（深圳天使母基金展位）

值得注意的是，在本届高交会参展的3354家企业或单位中，有部分是极具前瞻性科技布局的创业企业。例如在深圳天使母基金层层选拔中脱颖而出的摩得半导体，不仅在展会上备受瞩目，其研发的高耐压氮化镓GaN设计工艺更是一举斩获了第二十三届中国国际高新技术成果交易会“优秀产品奖”。

据悉，从事第三代功率半导体研发设计业务的摩得半导体，其核心成员多来自台积电、中芯国际、高通、博通等知名半导体公司，整个研发团队在芯片设计以及晶圆制造方面积累了丰富的经验，他们兼具了多架构IC设计以及氮化镓制造生产的实力，同时还可以熟练改进工艺制程。这样的研发团队，在国内整个业界是非常罕见的。

（摩得半导体展示的优秀产品）

正是有了强大的研发团队，摩得半导体在科技创新方面有着得天独厚的优势。在本届高交会上，摩得半导体展示出的优秀产品，包括氮化镓晶6寸晶圆、MPW MASK 光罩等一系列科技创新成果，受到了到场领导、投资人、媒体以及观众的一致好评。许多投资人和不同领域的客户在了解到摩得半导体在氮化镓材料上的诸多优势后，现场表示希望可以和摩得半导体在移动电源等多个领域展开合作以及商业探索。

　　（摩得半导体展台）

尤其是在第三代半导体高击穿功率器件领域，摩得半导体的研发团队更是打破了国外的长期技术垄断。其自主研发的三款面对不同领域的氮化镓电源芯片产品中，已经有部分产品开展了性能测试与可靠性验证。由于氮化镓比硅禁带宽度大3倍、饱和电子迁移速度大3倍、耐高温等特性，氮化镓器件在消费电子、IDC、电动车、工业等领域有非常多的用途。

展示“十三五”科技成果、响应“十四五”战略规划是本届高交会的重点之一。围绕“十三五”期间取得的重大成果以及“十四五”规划中的重大政策、重大工程和重大项目，本届高交会着重展示了科技前沿领域的最新科研成果和先进技术。摩得半导体作为国内优秀的第三代功率半导体研发设计企业，其展示出的成果不仅打破国外壁垒，更将助力于国内芯片领域的发展，为国家“十四五”战略规划献上一份力。